引言：随着芯片结温的升高，半导体器件的寿命将呈指数下降。芯片的工作温度取决于半导体封装的结构及其冷却环境。适宜的热设计和...
前言如何建立准确的IC封装模型是电子部件级、系统级热仿真的关键问题和挑战。建立准确有效的IC封装模型，对电子产品的热设计...
通过功率循环测试量化大功率多芯片IGBT模组热流路径中的分层、开裂区域最近很多客户询问如何将功率循环测试的结果与IGBT...
SiC器件概述及其热测试难点以碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体器件，可在更高温度、更高电压、更高频率环境下正常...